1.光刻工艺
(1)集成电路制造历程复杂,光刻为其中要道一环
光刻(Lithography)是指在特定波长光辉的作用下,将狡计在掩膜版上的集成电路图形滚动到硅片表 面的光刻胶上的时代工艺。为了完成图形滚动,需要经验千里积、旋转涂胶、软烘、瞄准与曝光、后烘、 显影、坚膜烘焙、显影检测等 8 谈工序,检测及格后赓续进行刻蚀、离子注入、去胶等智力,并视需要 访佛制程智力,开采芯片的“摩天大楼”。
(2)光刻中枢肠位:1/2 的时辰+1/3 的资本
跟着芯旋即间的发展,访佛智力数增多,先进芯片需要进行 20-30 次光刻,光刻工艺的耗时不错占到整 个晶圆制造时辰的 40%-50%,用度约占芯片坐褥资本的 1/3。
2.光刻机
(1)曝光开采运用浮浅,光刻机频频指用于芯片前谈工艺的光刻开采 泛半导体光刻时代可分为直写光刻和掩模光刻,直写式光刻精度较低,多用于 IC 后谈封装、低世代线 平板长远、PCB 等鸿沟;掩模光刻现在的主流神志为投影式,光刻精度高,可用于 IC 制造的前谈工艺、 后谈先进封装和中高世代线的 FPD 坐褥。
(2)光刻机单机价值量高,滋长千亿阛阓空间
2022 年环球晶圆前谈开采销售 941 亿好意思元,光刻机占 17%,是 IC 制造的第三翻开采,但却是单机价值 量最大的开采。据 ASML 财报测算,2022 年单台 EUV 价钱约 1.8 亿欧元,浸没式 DUV 约 6500 万欧 元。
3.光刻机时代发展历程
光刻机的时代演进主要分为以下几个阶段。
1)UV 光刻机:用于 0.25 微米及以上制程节点,UV 为紫外光,光源类型包括 g-line、i-line 等。
2)干式 DUV 光刻机:可用于 65nm-0.35μm 制程节点,干式 DUV 是指在光刻过程中使用干式透镜和 深紫外线光源,该时代在 20 世纪 90 年代初得到了浮浅运用。
3)浸入式 DUV 光刻机:可用于 7nm-45nm 制程节点,跟着芯片制造时代对先进制程的需求握续加多, 干式 DUV 光刻机已无法得志其精度条目。浸入式 DUV 光刻机通过把物镜与晶圆之间的填充由空气调动 为水,进而取得更高的数值孔径(NA),使光刻机具有更高的分别率与成像智力。
4)Low-NAEUV 光刻机:用于 3nm-7nm 制程节点,EUV 为极紫外光,该光源的波长较此前光源明
显减小,权贵擢升光刻机的分别率。
5)High-NAEUV 光刻机:用于 3nm 以下制程节点,High-NA 是指高数值孔径(0.33→0.55),是下 一代光刻机时代,将在已有 EUV 基础上进一步提高分别率与成像智力,从而杀青更先进制成的坐褥。
刻下该时代由阿斯麦公司研发中,公司瞻望在 2025 年杀青出货。
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